铠俠拟投超1萬億日元建新廠 量産下一代NAND閃存

观点网

2026-08-27 11:28

  • 铠俠計劃投資超1萬億日元(約合68億美元)在日本岩手縣新建第三座生産廠房,量産下一代高性能NAND閃存芯片,目標2029年以後投産,以滿足AI存儲需求。

    觀點網訊:8月27日,日本存儲芯片廠商铠俠宣布一項新的建設計劃,拟投資超1萬億日元(約合68億美元)在日本岩手縣北上工廠園區内新建第三座生産廠房,用于量産下一代高性能NAND閃存芯片,項目目標投産時間定在2029年以後。

    據知情人士透露,铠俠高層計劃于周四前往日本首相官邸宣布該計劃,擴産旨在滿足持續強勁的人工智能(AI)相關存儲需求。

    此次擴産将提高铠俠的晶圓制造産能,以應對AI服務器對高性能存儲芯片的旺盛需求。

    免責聲明:本文内容與數據由觀點根據公開信息整理,不構成投資建議,使用前請核實。

    審校:楊嘉英



    相關話題讨論



    你可能感興趣的話題

    産業科技

    科技

    半導體

    铠俠

    NAND閃存