英偉達8月31日發布新一代高帶寬内存技術NVHBM，可擴展NVLink Fusion方案；相比標準HBM4E，内存帶寬最高提升30%、HBM功耗降低15%、為XPU計算die釋放多達25%面積；三星正配合開發8層HBM4E。
觀點網訊：8月31日，英偉達推出新一代高帶寬内存技術NVIDIA NVHBM，該技術擴展了NVIDIA NVLink Fusion技術方案，旨在幫助超大規模企業和AI創新者構建新一代半定制AI基礎架構。
此次發布正值AI智能體和萬億參數工作負載日益成為主流之際。英偉達指出，AI基礎設施的性能不僅取決于計算能力，還取決于計算、内存、存儲、網絡和軟件如何作為統一系統進行協同設計。
技術層面，NVHBM通過将内存控制器集成到3D HBM堆棧，而不是集成在XPU上。與標準HBM4E相比，NVHBM可實現高達30%的内存帶寬提升，将HBM功耗降低15%，並為XPU計算die釋放多達25%的面積。
供應鏈方面，據财聯社、企查查等報道，三星電子正配合英偉達要求開發8層第七代高帶寬存儲器（HBM4E），該産品據悉将用于NVHBM。
雙方的規格口徑存在明顯差異：英偉達提出的HBM4E速度規格為17-18Gbps，較三星初期HBM4E 14.4Gbps的樣品速度高出約20%。
三星配合開發的8層HBM4E方案，較原計劃的12層、16層方案顯著降低堆疊高度。
按照計劃，NVHBM将由領先的内存合作伙伴完成驗證並提供，從而讓這種先進的内存能力惠及NVLink Fusion客戶。
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審校：楊毅
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