三星電子正配合英偉達開發8層HBM4E，堆疊高度較原計劃12層、16層方案顯著降低；英偉達要求速度規格17-18Gbps，較三星初期14.4Gbps樣品高出約20%，據悉将用于NVHBM。
觀點網訊：8月31日，據《科創闆日報》援引首爾經濟日報報道，三星電子正配合英偉達要求開發8層第七代高帶寬存儲器（HBM4E）。
與原計劃的12層、16層方案相比，8層設計顯著降低堆疊高度。英偉達提出的速度規格為17-18Gbps，較三星初期HBM4E 14.4Gbps的樣品速度高出約20%。
據悉，該産品将用于NVHBM。
另據報道，三星已于今年5月率先向全球客戶出貨HBM4E樣品。
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審校：歐詩雅
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