三星電子在Computex 2026上首次展示第八代HBM5原型，核心引入HPB熱管理技術以解決AI内存散熱問題，該技術已在HBM4E平台完成驗證。
觀點網訊：6月2日，三星電子在Computex 2026上首次展示第八代高帶寬内存HBM5原型，發布下一代HBM5架構，核心亮點是名為“heat path block”（HPB）的熱管理技術，旨在解決高性能AI内存日益嚴峻的散熱問題。
根據公開資料整理，HBM5是面向未來高性能計算和人工智能訓練需求設計的第八代存儲技術。HPB技術通過在半導體晶圓之間引導熱量流動，将物理層區域産生的熱量高效疏散，緩解高密度堆疊芯片中的熱量積聚問題，從而提升性能穩定性與運行可靠性。
據介紹，該HPB技術已在HBM4E平台完成驗證，計劃随HBM5正式商用。同時，三星已于5月下旬率先向客戶交付12層HBM4E樣品。HBM5還計劃引入第六代10納米級DRAM制程及2納米邏輯工藝節點。
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