台積電4月22日宣布，将從2029年開始量産1.3納米半導體，相比1.4納米産品，芯片面積可縮小6%。
觀點網訊：台積電（TSMC）4月22日宣布，将從2029年開始量産電路線寬1.3納米的下一代半導體。與預計2028年量産的1.4納米産品相比，可用小6%的芯片面積實現同等性能。
據介紹，該1.3納米制程被命名為A13，是A14（1.4納米）的光學微縮版，通過線性尺寸縮小約3%實現晶體管密度提升6%，同時保持與A14完全兼容的設計規則與電氣特性，客戶幾乎無需重新設計即可復用現有IP。
台積電還計劃在2029年同步量産1.2納米級的A12工藝，該工藝将采用SPR超級電源軌技術，作為A14的增強版。此外，台積電在2026年北美技術論壇上表示，目前尚不需要使用阿斯麥的最新高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）。
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