三菲化合物半導體光芯片制造基地項目簽約落戶江蘇太倉，總投資20億元，達産後年産值将超10億元。
觀點網訊：近日，三菲化合物半導體光芯片制造基地項目正式簽約落戶江蘇省太倉市城廂鎮，項目計劃總投資20億元，其中一期投資10億元，預計今年8月開工建設、2028年投産運營，達産後可實現年産值超10億元。
據介紹，上海三菲半導體有限公司長期聚焦光芯片、電芯片與算法的自主核心技術，具備穩定出貨800萬顆/月高端光芯片的能力。光芯片作為光通信、數據中心及激光雷達等繫統的核心器件，在AI算力驅動下需求激增。
另悉，在AI高速叠代背景下，800G/1.6T光模塊必須采用磷化铟材料制造激光器和探測器，傳統矽與砷化镓已難以滿足高頻段性能要求。據預測，2026年全球1.6T光模塊出貨量有望突破1000萬只，推動磷化铟襯底價格從800美元漲至2300美元，漲幅達187%。
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