GDIRI觀察 | 兆易創新H股上市，存儲芯片漲價熱浪里的紅利與考驗

觀點指數(GDIRI) 随着AI算力需求步入爆發式增長周期，作為算力基礎設施核心組成的存儲芯片，正迎來一輪顯著的價格上行周期。國際存儲芯片企業計劃于2026年第一季度，将服務器DRAM價格較2025年第四季度上調60%-70%。

作為國産存儲芯片頭部企業，兆易創新是少數在利基型DRAM、NOR Flash和MCU多領域跻身全球前列的Fabless芯片設計公司，在抓住漲價周期紅利、實現營收淨利雙增長的同時，也面臨着代工廠依賴的供應鍊風險與資本擴張的戰略考驗。

值得關注的是，兆易創新的A股股價從2025年初的105.91元/股起步，累計全年漲幅達101.25%，截至2026年初股價突破273.77元/股，更是創歷史新高，對應市值超1800億元。

在全球存儲芯片産業格局重構與國産化進程加速的雙重背景下，兆易創新于2026年1月13日在香港H股上市，此舉能否為公司打開全球化發展空間、進一步夯實核心競争力，值得市場持續關注。

存儲芯片漲價潮

自2025年起，受AI技術叠代催生的存儲需求增長影響，全球存儲芯片市場進入持續上行周期，多款産品價格實現翻倍增長，漲勢将延續至2026年已成為行業普遍共識。

需求端，2025年全球服務器領域的DRAM和NAND閃存消耗量同比增長40%至50%，AI服務器對存儲的需求強度為普通服務器的8-10倍，而當前大量存量及新增AI服務器仍以DDR4芯片為主要适配存儲産品。

供給端方面，三星、SK海力士等國際頭部企業為優先保障HBM（高帶寬内存）等先進制程産能，大幅縮減DDR4等成熟制程的産能分配，直接導致特定型号中低端存儲芯片供給出現缺口。

最引人注目的是，DDR4内存條價格在一年内翻三倍多，出現“前代産品價格反超新一代”的異常現象，甚至報價有“一盒100根DDR4内存條售價400萬”，反映了當前存儲芯片的稀缺程度。

三星、SK海力士等龍頭企業明确計劃在2026年第一季度，将服務器DRAM價格較2025年第四季度上調60%至70%。上遊原廠密集發布漲價通知，導致下遊模組廠成本壓力顯著上升，行業競争格局加速調整。

而數據中心建設成本攀升推動AI算力投資從擴張式布局轉向理性規劃。與此同時，汽車、工業等領域對存儲産品的定制化、大容量需求持續釋放，為國産供應鍊切入高端存儲市場創造了契機。

在此市場背景下，兆易創新憑借此前布局的DDR4、DDR3L及LPDDR4等繫列産品，實現對市場需求的有效承接。相關行業報告顯示，截止目前16GB DDR4芯片價格環比漲幅高達75.93%，8GB DDR4芯片漲幅30%左右，4GB DDR3芯片漲幅達41.66%。面對漲價潮，華碩、微星等終端廠商紛紛在現貨市場采購消費類DRAM。

而在NOR Flash領域，公開數據顯示，兆易創新NOR Flash産品全球市場占有率從2012年的3%逐步提升至2024年的18.5%，位列全球第二。該公司計劃在2026年完善45nm NOR Flash産品線，實現32Mb及以上容量45nm産品量産，並将産品品質提升至工業級和汽車級標準，進一步拓展産品的應用場景。

在MCU領域，兆易創新已量産63大繫列、超700款産品，累計出貨量超19.8億顆。公司2025年7月成立汽車業務單元（BU），其推出的首顆單核ASIL-BA7繫列車規MCU産品，目前已實現頭部Tier1客戶及下遊OEM客戶的多個項目定點，後續還将規劃域控、BMS等多個汽車相關産品線，完善汽車電子賽道的布局。

合作代工廠的依賴

兆易創新采用Fabless（無晶圓廠）模式運營，聚焦芯片研發與設計核心環節，晶圓制造、封測等生産流程均交由頭部代工廠協作。該輕資産模式在行業上升周期優勢顯著，無需承擔巨額産能建設與維護成本，可以快速響應市場需求，調整産品結構。

但Fabless模式的局限性亦随之顯現，其高度依賴代工廠的産能、技術和交付穩定性，供應鍊安全成為企業發展的核心變量。對于兆易創新來說，随着利基型DRAM、NOR Flash等産品需求的增長，代工廠的産能保障能力将直接影響到公司能否及時把握市場機遇、兌現業績紅利。

據觀點指數梳理，兆易創新的核心産能分布于長鑫科技、中芯國際、華虹半導體、台積電等多家代工企業，從2025-2026年産能擴張計劃來看，核心增量集中在華虹無錫和長鑫合肥兩大基地。

其中，華虹無錫三期項目全部建成後，月産能将接近20萬片；長鑫合肥一期已實現投産，三期項目滿産後月産能可達36萬片，兩大基地将成為支撐兆易創新未來2-3年業務增長的核心産能支柱。

據了解，此前中芯國際代工産能處于飽和狀态，兆易創新将部分NOR Flash存儲芯片的生産訂單轉移至華虹無錫12英寸産線，同時調整産能分配策略，将中芯國際的代工資源更多傾斜至邏輯芯片MCU産品的生産。

為對沖供應鍊依賴風險，兆易創新選擇通過資本綁定深化合作，公司出資15億元參與長鑫科技集團增資，持股比例提升至1.88%，成為A股中參股比例最高的上市公司，通過“股權+代工+代銷”三重綁定，鎖定了利基型DRAM的獨家代工産能。

但供應鍊的潛在風險仍未完全消除。一方面，核心産能集中于少數代工廠，若出現擴産延遲、技術良率波動或政策調整受限等情況，将直接影響公司的交付能力。

另一方面，存儲芯片行業存在産能擴張周期長、投入大等特點，華虹無錫三期、長鑫合肥三期均需數年建設周期，難以快速響應市場短期的需求波動。

而兆易創新還通過自建測試中心、布局前瞻技術等方式完善供應鍊生态，在技術端，公司投資設立北京青耘科技，專注于存儲器控制器、三維堆疊存儲器等先進技術的研發。

在産品線拓展層面，以3.16億元收購蘇州賽芯電子38.07%股權並成為其控股股東，獲取锂電池保護芯片、電源管理芯片等模拟IC産品線；同時投資光羽芯辰布局AIoT領域，通過生态鍊投資拓寬發展邊界，希望降低對單一存儲業務及對應代工廠的依賴。

資本擴張挑戰

2025年三季報顯示，兆易創新單季度實現營收26.81億元，同比增長31.40%；歸母淨利潤5.28億元，同比大增61.13%，盈利增速顯著高于收入增速，凸顯出産品量價齊升背景下的盈利彈性。

分業務來看，存儲芯片業務營收28.45億元，營收占比達68.55%，是核心營收支柱；MCU業務實現營收9.59億元，同比增長19.1%，成為公司第二增長曲線。

市場需求旺盛程度更直觀體現在合同負債上，截至2025年三季度末，公司合同負債規模達2.19億元，同比增長189%，增量主要來源于利基型DDR産品的大額訂單。

數據來源：公司季度報，觀點指數整理

在此市場環境下，兆易創新于2026年1月13日在香港上市，全球發售2891.58萬股H股，預計募資淨額41.81億港元，資金将主要用于三大方向：一是增強研發能力，持續叠代産品和技術創新，聚焦存儲器控制器、三維堆疊等先進技術；二是戰略及産業相關投資與收購；三是全球營銷與業務網絡建設。

為配合全球化布局，公司已在新加坡設立國際總部，統籌國際運營與供應鍊協同；業務拓展層面，公司與南京南瑞繼保達成戰略合作，加速國産器件在工業領域的落地應用。

不過，資本擴張在推動公司規模增長的同時，也使其面臨資金、技術與市場競争等多重挑戰。

從資金層面來看，半導體行業屬于典型的資本密集型産業，研發投入與産能布局均需要持續注入巨額資金。2025年前三季度，兆易創新研發費用已達8.6億元，同比實現小幅增長。

赴港上市募資雖能緩解短期壓力，但未來先進制程研發、産能布局仍需持續的資金注入，若業績增長不及預期，可能面臨資金鍊緊張的風險。

而技術突破更是核心難關，當前公司核心産品集中在利基型DRAM、中低端NOR Flash等領域，與三星、SK海力士等國際巨頭在先進制程、高端産品上差距明顯。

雖然公司已前瞻布局存儲器控制器、三維堆疊等前瞻技術，但這些領域研發周期長、投入大、技術風險高，能否實現技術突破並産業化，直接決定了公司未來的核心競争力。且在45nm NOR Flash完善、汽車級産品升級等方面，其仍需持續攻關。

市場競争加劇進一步提升了擴張的難度，紫光國芯等國内企業密集推進IPO搶占存儲賽道，國際巨頭則在HBM等高端領域形成技術壟斷，疊加下遊對産品性能要求升級，若響應不及時将錯失機遇。

此外，公司通過股權綁定、多代工廠布局緩解了依賴，但代工廠的産能爬坡進度、技術合作深度仍存在不确定性，若核心代工廠出現産能短缺情況，仍将對公司的産品交付能力産生影響。

AI驅動的存儲芯片漲價潮，為兆易創新帶來了階段性的周期紅利，公司憑借其産品布局實現了業績的大幅增長。通過綁定核心代工廠、戰略增資、橫向收購等舉措，公司在緩解供應鍊依賴的同時，構建了多元化的業務生态。

周期紅利為兆易創新帶來擴張窗口，2025年公司股價全年漲幅達101.25%，截止2026年初突破273.77元/股，再創新高，股權綁定、赴港上市等舉措已奠定基礎，但長期發展仍需突破對行業周期的依賴。

此次資本擴張既是機遇也是考驗，依托短期紅利持續技術攻關、完善供應鍊生态、構建差異化優勢，才能在全球存儲芯片産業重構的浪潮中，實現從“中國領先”到“世界一流”的戰略升級，穩固AI時代全球存儲領域的核心地位。

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