觀點網訊:10月26日,落戶長沙望城經開區的湖南泰坦未來科技有限公司研發產出國內首款12英寸多晶碳化硅襯底。
據介紹,該材料主打高導熱特性,導熱率超過280W/(mK),面向AI算力芯片、先進封裝場景,在封裝結構內作為導熱基底使用,用於解決大功率芯片運行過程中的散熱難題。
該產品當前處於樣品驗證、小批量試產階段,已經完成頭部企業相關驗證。
10月26日,湖南泰坦未來科技有限公司研發產出國內首款12英寸多晶碳化硅襯底,導熱率超過280W/(mK),面向AI算力芯片、先進封裝場景,用於解決大功率芯片散熱難題,當前處於樣品驗證、小批量試產階段,已完成頭部企業相關驗證。
觀點網訊:10月26日,落戶長沙望城經開區的湖南泰坦未來科技有限公司研發產出國內首款12英寸多晶碳化硅襯底。
據介紹,該材料主打高導熱特性,導熱率超過280W/(mK),面向AI算力芯片、先進封裝場景,在封裝結構內作為導熱基底使用,用於解決大功率芯片運行過程中的散熱難題。
該產品當前處於樣品驗證、小批量試產階段,已經完成頭部企業相關驗證。
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