SK海力士iHBM技術將熱阻降低30%以上 目標HBM5世代導入 2026-11-12 18:15 科技半導體SK海力士iHBM SK海力士今年5月發佈的iHBM技術,通過在HBM封裝內部直接嵌入冷卻元件,將熱阻降低30%以上,目標從HBM5世代開始導入。 觀點網訊:SK海力士今年5月發佈的iHBM技術,通過在HBM封裝內部直接嵌入冷卻元件,將熱阻降低30%以上,目標從HBM5世代開始導入。 免責聲明:本文内容與數據由觀點根據公開信息整理,不構成投資建議,使用前請核實。 審校姜月初 打開微信「掃一掃」分享給朋友或朋友圈