觀點網訊：湖南泰坦未來科技有限公司宣佈推出國內首款12英寸多晶碳化硅襯底，導熱率超過280W/(mK)，在封裝結構內作為導熱基底使用，瞄準AI芯片與先進封裝的散熱瓶頸。
據介紹，該產品由該公司團隊歷經兩年多全流程原創攻關製成，期間曾損耗兩臺氣相沉積爐，並攻克材料緻密化、大尺寸成型、應力調控等技術難題。
在關鍵性能上，該襯底沉積速度達每小時60微米，明顯高於國內外同行10至20微米的水平；最低電阻率可小於1毫歐·釐米，優於國外同行約10毫歐·釐米的水平；孔洞缺陷少於每平方釐米0.1個，有助於提升芯片良率。
該產品目前已通過臺積電相關認證測試，並向三星送樣，同時與谷歌、英偉達等企業展開合作。
項目正處於樣品驗證向小批量試產過渡階段，預計2027年後逐步規模化供貨。