英特爾CTO:全球尖端晶圓產量增長上限約為兩倍 2026-10-23 10:16 科技半導體英特爾晶圓產能 英特爾首席技術官普什卡·拉納德表示,即便資金充足,全球尖端晶圓產量也難以擴大十倍,更現實的增長上限約為兩倍。 觀點網訊:10月23日,英特爾首席技術官普什卡·拉納德表示,即便資金充足,全球尖端晶圓產量也難以擴大十倍,更現實的增長上限約為兩倍。 拉納德指出,AI計算能力過去十年大約以每年三倍的速度增長。 拉納德表示,製造先進芯片所需的關鍵設備、潔淨室和晶圓廠規模,正在成為新的產能天花板。 免責聲明:本文内容與數據由觀點根據公開信息整理,不構成投資建議,使用前請核實。 審校歐詩雅 打開微信「掃一掃」分享給朋友或朋友圈