觀點網訊：近日，源歸材料完成新一輪數億元融資，由高瓴創投領投，深創投、崑山國科參與投資。

本輪資金將用於旗下“源展材料”在原子層沉積（ALD）前驅體領域的產能擴充與新產品研發。這類材料是芯片薄膜沉積工藝的關鍵原料。

上海源歸材料科技有限公司旗下蘇州源展材料科技有限公司申請的“一種ALD前驅體鑭配合物的製備方法”專利於今年8月21日公佈，目前處於實質審查階段。

該專利摘要記載，該方法通過多步反應減少最終產物中的二聚體雜質，製備高純鑭配合物。