觀點網訊：2026年10月15日，馬斯克在X平臺發文指出：“China will be making a LOT of RAM in 2028”（中國將在2028年大量生產RAM），回應韓國財經專欄對記憶體市場的警告。

該專欄指出，隨着新產能陸續上線，2029年恐出現記憶體供過於求，韓國只剩2至3年時間發展新增長產業。

馬斯克的這條貼文，是引用@pequityresearch分享的韓國市場分析。貼文發佈後已累積逾百萬瀏覽。

數日前，馬斯克已指出，當中國掌握某項產品的製造技術後，其規模化生產能力往往超過全球其他國家的總和，並以鋰電池與太陽能板為例。

他進一步表示，RAM大約三年前仍是低利潤大宗商品，而LPDDR5與LPDDR6遵循通用標準，中國似乎正在快速攻克；但新一代HBM架構、邏輯層下方的SRAM，以及在邏輯層上方進行3D堆疊並解決散熱問題，技術難度則更高。

市場焦點集中在中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）。根據摩根士丹利等機構分析，CXMT的DRAM月產能預計從2025年約18萬片晶圓，提升至2026年約30萬片，並在2028年達到約50萬片。

CXMT近期宣佈在4F²新架構取得關鍵進展，該技術可將DRAM單元面積縮減約33%，並計劃於2026年底推出基於此架構的DDR5伺服器記憶體。

韓國產業界呼籲把握未來兩至三年窗口期，加速佈局高附加價值產品與新應用領域。