觀點網訊：日前，ASML執行長傅恪禮在第三季法說會上表示，High-NA EUV正從研發邁向量產，客戶進度提供設備投資下一階段時間表。

據報道，專家對此表示，ASML下一波成長週期逐漸清晰，關鍵不在短期出機臺數，而在英特爾、三星、臺積電何時大規模導入High-NA EUV。

在頭部晶圓廠導入進度方面，英特爾已用High-NA EUV曝光超過100萬片晶圓，表現達到或優於低NA同類製程層；三星打算2028年將High-NA EUV導入大規模量產；臺積電目標2030年左右用於先進邏輯。

ASML在財報會議上還表示，現有High-NA EUV機臺稼動率接近九成，但未來收入仍須看客戶驗證層數與擴線速度。財務長戴厚傑指出，High-NA EUV仍屬非常初期爬坡，客戶完成製程驗證、增加應用層別後才會帶動更多機臺訂單。

臺積電另與ASML推動12吋光罩聯盟，目標2031年建中試線、2033年量產，以降低6吋光罩拼接限制、對應大型AI芯片。

短期供需方面，ASML預估2027年低NA EUV與浸潤式DUV產能各年增30%，但管理層認為仍難滿足2027年、2028年需求，正研究進一步擴充2028年產出。

財務數據方面，ASML第三季淨銷售約117億歐元、毛利57.5%、淨利約50億歐元，全年營收指引上調至440至450億歐元。

報道指出，ASML行情呈雙速結構：低NA與DUV升級、產能利用率提升支撐近期營收；High-NA EUV貢獻時點取決於英特爾擴層、三星2028年兌現、臺積電2030年導入，以及ASML交機能力。