觀點網訊:8月5日,鎧俠與閃迪正式發佈最新BiCS10 3D QLC NAND閃存芯片,號稱目前全球已正式推出的最高存儲密度3D NAND產品,主要面向高容量數據中心級SSD市場。
據介紹,該芯片採用332層堆疊結構,單位面積存儲密度達到37Gb/mm²,搭載最高4800MT/s高速接口,並支持獨立命令地址(SCA)功能。
相比此前兩家公司推出的BiCS10 3D TLC NAND產品,其存儲密度超過29Gb/mm²,新款QLC NAND進一步提升了數據中心存儲容量密度。
8月5日,鎧俠與閃迪正式發佈BiCS10 3D QLC NAND閃存芯片,採用332層堆疊結構,單位面積存儲密度達到37Gb/mm²,搭載最高4800MT/s接口,主要面向高容量數據中心級SSD市場,並支持獨立命令地址(SCA)功能。
觀點網訊:8月5日,鎧俠與閃迪正式發佈最新BiCS10 3D QLC NAND閃存芯片,號稱目前全球已正式推出的最高存儲密度3D NAND產品,主要面向高容量數據中心級SSD市場。
據介紹,該芯片採用332層堆疊結構,單位面積存儲密度達到37Gb/mm²,搭載最高4800MT/s高速接口,並支持獨立命令地址(SCA)功能。
相比此前兩家公司推出的BiCS10 3D TLC NAND產品,其存儲密度超過29Gb/mm²,新款QLC NAND進一步提升了數據中心存儲容量密度。
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