觀點網訊：11月3日，三星電子將利用其位於美國得克薩斯州泰勒市的第二家代工廠，為AMD和英偉達生產高帶寬內存（HBM）芯片的基礎晶圓。

報道稱，該工廠預計將於本月正式動工，且已獲得其全部產量的訂單，其中大部分訂單來自AMD。

該工廠將採用2納米工藝，佔地面積約270萬平方英尺，約為第一座工廠面積的1.5倍。

三星位於得州的第一座代工廠已與特斯拉簽訂合同。

該工廠設備預計將於2029年2月開始安裝，2030年投入量產。