觀點網訊：長晶科技推出新一代1700V IGBT半橋模塊，該產品依託其自研1700V FST3.0芯片平臺開發。

該系列模塊採用長晶科技自主研發的FST 3.0 IGBT芯片，結合高功率密度、強可靠性的封裝設計，實現1700V電壓等級下450A、600A、900A電流規格的產品佈局。

技術參數方面，該模塊功率端子載流能力升級，橫向對比同工況下端子溫升降低20%。殼體材料迭代優化，提升模塊最大允許殼溫，可支撐更高的功率密度和輸出能力。

應用層面，該系列模塊適配靜止無功發生器（SVG）、中高壓級聯型變頻器（MVD）、儲能系統、固態變壓器（SST）等中高壓大功率應用場景。