觀點網訊：近日，北方華創首臺面向先進工藝節點的12英寸微波ECR（Electron Cyclotron Resonance電子迴旋共振）等離子體刻蝕設備Acme Helix430正式問世。

該設備與公司現有ICP和CCP刻蝕設備形成技術路線互補，進一步豐富了公司在等離子體刻蝕領域的產品譜系，也為國內12英寸高端刻蝕設備市場補充了微波ECR技術路線的產品供給。

刻蝕是晶圓製造前道核心工序之一，作用是將光刻圖形精準轉移到硅片上。據SEMI測算，刻蝕約佔全球晶圓製造設備市場規模的20%，近300億美元。其中，微波ECR是隨先進邏輯節點量產逐步放量的細分增量賽道。

隨着摩爾定律推進，晶體管結構從平面型和3D鰭式晶體管（FinFET）演進至環柵納米片（GAA），鰭式溝道、柵極氧化層等結構對加工損傷控制與刻蝕精度的要求不斷提高。相較於主流ICP/CCP（電感耦合/電容耦合等離子體）刻蝕，微波ECR等離子體可同步獲得高密度等離子體與超低離子轟擊能量，兼具低損傷優勢，成為GAA節點低損傷、高選擇比刻蝕的優選技術路線。

Acme Helix430聚焦先進工藝節點的關鍵刻蝕需求，攻克了高密度與超低離子能量微波ECR等離子體刻蝕技術、高流導與超低控壓系統等技術難題。

該設備採用自主研發的微波ECR等離子體技術，降低刻蝕離子損傷，適配淺溝槽隔離、柵極刻蝕等核心工藝。即使在20:1以上高深寬比結構刻蝕中，仍具備充裕的工藝容差。

依託超低氣壓下微波ECR的高效電子加熱，以及磁約束電子帶來的高效碰撞解離、電離能力，該設備實現深溝槽側壁高垂直度形貌控制，並結合磁場拓撲優化改善溝槽深寬比刻蝕表現。