觀點網訊：10月28日消息，據知情人士稱，中國最大DRAM製造商長鑫存儲已向多家國內AI芯片設計公司提供HBM3E樣品，公司預計將在未來兩個月內開始有限生產。

據知情人士稱，長鑫HBM3E的良率（即生產線上符合規格的芯片所佔比例）僅在20%到30%，相對市場龍頭SK海力士的良率約為70%。知情人士表示，儘管良率較低，長鑫存儲仍在推進相關計劃，因中國AI芯片製造商一直難以獲得足夠的先進記憶體來擴大產量。

報道稱，低良率推高了生產成本，長鑫存儲的HBM3E產品成本預計將高於海外競爭對手的同類產品。長鑫存儲已向客戶提供兩個版本的HBM3E產品：一種是標準設計版本，另一種是經過改進、旨在提高良率的版本。知情人士表示，在測試中，長鑫存儲的HBM3E產品效能更接近SK海力士上一代產品HBM3，而非目前的HBM3E產品。