觀點網訊：10月21日，據媒體報道，三星電子與SK海力士正計劃升級其中國工廠，生產更先進的NAND閃存芯片，以應對AI存儲需求增長，並反擊長江存儲在中國市場的競爭。

知情人士透露，兩家公司正努力在中國工廠生產堆疊層數超過200層的NAND芯片，核心是將製造能力提升至韓國本土水平。

報道稱，美國自2022年起實施芯片設備出口管制，三星與SK海力士中國廠房的技術升級受限，市場份額逐步被長江存儲啃食。

研調機構Omdia數據顯示，今年第二季長江存儲於中國NAND市場的市佔率為38.5%，超越三星的33.5%及SK海力士的17%。

三星西安廠目前生產約200層NAND芯片，佔其全球NAND總產量約40%。該廠啓動內部代號“Monami”的項目，擬將產線轉換為286層V9 NAND，目標今年12月實現每月5000片晶圓產能，2027年12月提升至4萬片。三星強調，此次升級符合美方法規，旨在滿足全球客戶需求，並非擴充總產能。

SK海力士計劃將大連廠目前生產的192層產品升級至240層或以上。該廠為其2021年收購英特爾NAND業務所得，現為旗下籌備赴美上市子公司Solidigm唯一的NAND生產基地。