觀點網訊：10月15日，據證券時報報道，長鑫科技總裁曹堪宇博士於10月10日在第四屆集成芯片和芯粒大會上公佈公司在DRAM器件、4F²架構及混合鍵合等方向的進展，並預計年底推出融合新技術的新一代DDR5 RDIMM產品。

技術方面，相比DRAM行業主流6F²架構，4F²架構下單位面積內的晶體管數量增多，可實現存儲密度的提升。該架構的核心特色是DRAM存儲陣列晶體管上的創新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶體管。

市場方面，10月13日，三星電子、SK海力士跌幅超過7%；10月14日，兩家公司跌幅收窄企穩。另據金十數據整理的存儲市場要聞，今年外資拋售三星電子、SK海力士合計176萬億韓元。

對於本輪股價波動，業內人士向證券時報記者分析，國際存儲巨頭暴跌，短期是交易層面的情緒超調，長期來看反映了市場對其壟斷壁壘的重估，而未來服務器市場會面臨分化。