觀點網訊：10月10日，長鑫科技總裁曹堪宇博士在第四屆集成芯片和芯粒大會上公佈公司在DRAM器件、4F²架構及混合鍵合等方向的進展，並預計年底推出融合新技術的新一代DDR5 RDIMM產品。
據證券時報報道，相比DRAM行業主流的6F²架構，4F²架構下單位面積內的晶體管數量會增多，實現存儲密度的提升。報道稱，該技術核心特色是在DRAM存儲陣列晶體管上的創新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶體管。
股價方面，10月13日，三星電子、SK海力士跌幅超過7%；10月14日，兩家公司跌幅收窄企穩。
業內人士向證券時報記者分析，國際存儲巨頭暴跌短期是交易層面的情緒超調，長期來看反映了市場對其壟斷壁壘的重估，未來服務器市場會面臨分化。