觀點網訊：10月10日，長鑫存儲總裁曹堪宇在第四屆集成芯片和芯粒大會上發表演講，介紹公司在DRAM器件、4F²架構及混合鍵合等方向的技術積累，並宣佈預計年底推出融合上述技術的新一代DDR5 RDIMM產品。

4F²架構被視作DRAM領域的下一代技術方向。當前行業主流為6F²架構，4F²架構下同面積存儲密度可提升30%至50%，其實現依賴晶體管溝道從水平佈局向垂直佈局的變革。

曹堪宇介紹，長鑫自成立以來啓動4F²架構的研究與專利佈局，公開專利族超300件。公司於2021年發佈國內首篇4F²架構相關論文，並在2023年、2025年的論文中分享研發進展。

據披露，長鑫4F²架構的核心是其自研的VSG垂直包圍柵晶體管。該晶體管採用垂直包圍溝道結構，強化柵極控制能力，用於解決傳統制程微縮帶來的短溝道效應與器件漏電問題。