觀點網訊：據路透社9月16日援引三名知情人士稱，SK海力士正在與英特爾討論首次在美國本土製造內存芯片。
其中一種方案，是租用英特爾位於俄亥俄州的部分晶圓廠；另一種方案，則是SK海力士、英特爾以及希望鎖定內存供應的大型雲計算企業共同組建合資公司。談判仍處於探索階段，具體生產DRAM、NAND還是其他產品也沒有確定。
SK海力士強調，目前尚未決定與特定企業合作，也沒有最終確定美國內存生產計劃。
今年8月，SK海力士為印第安納州工廠舉行奠基儀式，總投資超過40億美元，計劃2029年下半年量產下一代HBM。該項目被包裝為首個“美國製造”HBM基地，但核心DRAM晶圓在韓國生產，再運到美國完成先進封裝和測試。