觀點網訊：8月27日，日本半導體廠商鎧俠社長太田裕雄當日與首相高市早苗會面。太田表示，為擴大需求日益增長的半導體記憶體產能，公司計劃未來六年投資約5萬億日元。

太田在會面後透露，5萬億日元投資額中，約1.8萬億日元將用於在岩手縣北上市的工廠興建第三座生產大樓，目標於2029財年內投產。

高市早苗對此表示，這十分令人安心，政府亦非常歡迎。

另據媒體報道，北上市基地新建的第三座生產廠房將量產下一代高性能NAND閃存芯片，以應對人工智能應用帶來的存儲需求增長。