觀點網訊:8月13日,全球高頻寬記憶體龍頭SK海力士正投資7200億美元,建立其所稱全球最大的記憶體工廠網絡。SK海力士市值過去一年升逾5倍,目前超過1萬億美元。
Counterpoint Research數據顯示,今年首季SK海力士佔高頻寬記憶體(HBM)市場58%份額,其後為三星電子及美國美光,兩者均為21%。
為支持大規模擴產,SK海力士今年7月透過在納斯達克上市集資265億美元,成為外國企業在美國市場上市集資規模最大紀錄。不過,自7月14日升至接近195美元高位後,其美國上市股份累跌約21%,週三收報154.41美元。跌勢與AI概念股,尤其晶片股波動,以及韓國市場下跌同步出現,當地股市約一半市值來自SK海力士及三星電子。
該計劃屬於南韓總統李在明今年6月公佈的更大藍圖一部分,目標是在5年內將國家記憶體產能倍增,當中包括多座三星大型晶圓廠建設。
與美國晶片廠相比,SK海力士在南韓的廠房最大差異在於高度。公司表示最終高度將相當於50層住宅大樓。廠房將設有6個跨樓層連接的無塵室,而非如臺積電及英特爾於亞利桑那州新廠般採用單層橫向佈局。
SK集團董事長崔泰源在首爾接受訪問時表示:希望大規模擴產有助紓緩“價格升得太快”情況。SK海力士今年7月表示,已與主要客戶簽訂10份長期協議。英偉達已獲得穩定HBM供應,並同意共同開發下一代記憶體,作為SK集團5000億美元合作協議一部分,內容包括於2027年前與SK Telecom興建新數據中心。
Counterpoint Research研究總監MS Hwang表示,SK海力士及三星記憶體廠擴建附近酒店目前全部爆滿。
SK海力士亦在中國設有3座記憶體晶圓廠,但受美國出口管制限制,無法向中國銷售最先進HBM。中國亦有包括長鑫存儲在內的新興AI記憶體制造商,該公司近期於上海市場上市表現強勁。MS Hwang表示:“這是一場競賽,而現在的對手是中國,這將比世界上任何其他因素都更具威脅。”
SK海力士亦正興建首座美國設施,預計於2028年完工。位於印第安納州West Lafayette、投資40億美元的工廠將專注封裝工序,即堆疊及連接記憶體晶片,而非前端製造。除印第安納州項目外,SK海力士亦已在美國設有業務。公司於2020年同意以90億美元收購英特爾NAND業務,其後成立總部位於加州薩克拉門託附近的子公司Solidigm。今年1月,SK海力士重組該業務,並於美國成立100億美元“AI Company”,但目前未有前端製造相關計劃。談及美國晶片廠計劃時,崔泰源表示,公司已研究潛在選址逾一個月,必須找到合適地點。
